摘要:下面是由希賽小編整理的中級(jí)通信設(shè)備環(huán)境知識(shí)點(diǎn)精講之高頻開(kāi)關(guān)型整流器的分類(lèi),希望能幫助學(xué)友們。具體內(nèi)容如下
下面是由希賽小編整理的中級(jí)通信設(shè)備環(huán)境知識(shí)點(diǎn)精講之高頻開(kāi)關(guān)型整流器的分類(lèi),希望能幫助學(xué)友們。具體內(nèi)容如下:
高頻開(kāi)關(guān)型整流器的分類(lèi)
一般所說(shuō)的高頻開(kāi)關(guān)電源,是指由交流配電模塊、直流配電模塊、監(jiān)控模塊和整流模塊等組成的直流供電電源系統(tǒng),它名稱(chēng)的由來(lái)就是因?yàn)槠渚哂懈哳l開(kāi)關(guān)型整流器,由于髙頻開(kāi)關(guān)型整流器目前大都是模塊化結(jié)構(gòu),所以有時(shí)也稱(chēng)高頻開(kāi)關(guān)型整流器為高頻開(kāi)關(guān)整流模塊。
高頻開(kāi)關(guān)型整流器的分類(lèi)如下。
(1)按開(kāi)關(guān)電源控制方式及開(kāi)關(guān)線路技術(shù),可分為脈沖寬度調(diào)制(PulseWidth Modulation,PWM)型和諧振型。PWM型高頻開(kāi)關(guān)整流器具有控制簡(jiǎn)單,穩(wěn)態(tài)直流增益與負(fù)載無(wú)關(guān)等優(yōu)點(diǎn),但整流器中的功率開(kāi)關(guān)器件工作在強(qiáng)迫關(guān)斷和強(qiáng)迫導(dǎo)通方式下,在開(kāi)關(guān)截止和導(dǎo)通期間有一定的開(kāi)關(guān)損耗,而且開(kāi)關(guān)損耗隨開(kāi)關(guān)頻率的提高而增加,故限制了整流器開(kāi)關(guān)工作頻率的進(jìn)一步提高。諧振型高頻開(kāi)關(guān)整流器則可以使其在更高的頻率下工作且開(kāi)關(guān)損耗很小。它又分為串聯(lián)諧振型、并聯(lián)諧振型和準(zhǔn)諧振型3種,目前應(yīng)用較為普遍的是準(zhǔn)諧振型高頻開(kāi)關(guān)整流器。
(2)按開(kāi)關(guān)電源功率變換電路的結(jié)構(gòu),可分為不隔離式變換和隔離式變換。在不隔離式變換電路中,根據(jù)輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系,又可分為升壓型變換電路、降壓型變換電路和反相型變換電路。在隔離式變換電路中,根據(jù)變換器電路的結(jié)構(gòu),又可分為單端反激變換器、單端正激變換器、推挽式變換器、半橋式變換器和全橋式變換器。
(3)按開(kāi)關(guān)電源所用的開(kāi)關(guān)器件,分為雙極型晶體管開(kāi)關(guān)電源、功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)開(kāi)關(guān)電源、絕緣柵門(mén)極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)開(kāi)關(guān)電源和晶閘管開(kāi)關(guān)電源等。一般功率MOSFET用于開(kāi)關(guān)頻率在100kHz以上的開(kāi)關(guān)電源中,晶閘管用于大功率開(kāi)關(guān)電源中。
(4)按功率變換電路的激勵(lì)方式,可分為自激式和他激式。自激式開(kāi)關(guān)電源在接通電源后功率變換電路自行產(chǎn)生振蕩,即對(duì)該電路是靠電路本身的正反饋過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)功率變換的。自激式電路簡(jiǎn)單、響應(yīng)速度快,但開(kāi)關(guān)頻率變化大、輸出紋波值較大,通常只在小功率的情況下使用。他激式開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率恒定、輸出紋波小,但電路較復(fù)雜、響應(yīng)速度慢。
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