2020年中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料物理與化學(xué)考研半導(dǎo)體物理科目真題

2020年中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料物理與化學(xué)考研半導(dǎo)體物理科目真題

一、(共 50 分，每題 5 分)解釋下列名詞或概念

1. 等同的能谷間散射___________________________________

2. 雜質(zhì)電離能___________________________________

3. 理想 MIS 結(jié)構(gòu)的平帶狀態(tài)___________________________________

4. 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)___________________________________

5. pn 結(jié)擴(kuò)散電容___________________________________

6. 價(jià)帶的有效狀態(tài)密度___________________________________

7. 表面復(fù)合速度___________________________________

8. 自由載流子吸收___________________________________

9. 費(fèi)米分布函數(shù)___________________________________

10. 半導(dǎo)體的湯姆遜效應(yīng)___________________________________

二、(共 20 分，每題 10 分)簡(jiǎn)答題

1. 簡(jiǎn)述理想 MIS 結(jié)構(gòu)的高頻 C-V 特性(以 p 型半導(dǎo)體為例)。

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2. 1963 年，Gunn 發(fā)現(xiàn)，給 n 型 GaAs 兩端電極加以電壓使得 GaAs 內(nèi)電場(chǎng)超過3×10³V/cm時(shí)，電流便會(huì)以很高的頻率振蕩，這個(gè)效應(yīng)稱為耿氏效應(yīng)(Gunn effect)。1964 年 Koremer 指出，這與微分負(fù)阻理論一致。請(qǐng)結(jié)合 GaAs 的能帶結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)述 GaAs 在高場(chǎng)下出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)的原因。

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