?2022年深圳技術大學退役士兵專升本光源與照明考試大綱

2022年深圳技術大學退役士兵專升本光源與照明考試大綱

一、考查形式及題型結(jié)構(gòu)

1、考查形式：

職業(yè)技能綜合考查，時間為 120 分鐘，滿分為 150 分。 2、題型結(jié)構(gòu)： 選擇題(30%) 、簡答題(40%)、計算題 (30%)。

二、考查范圍和要求

1、考查范圍：

( 1 )大學物理， 包括：機械振動和機械波、熱力學基礎、 靜止電荷的電場、恒定電流的磁場、電磁感應、波動光學。

( 2)半導體照明概論， 包括： 光源的分類與特點、光度 學與色度學基礎、半導體及 pn 結(jié)特性、發(fā)光二極管特性、半 導體照明發(fā)光原理及制備方法。

2、考查要求：

( 1)大學物理：

①理解簡諧振動的概念及三個特征量的意義和決定因素; 掌 握用旋轉(zhuǎn)矢量表示簡諧振動的方法， 理解相位及相位差的意 義;理解機械波產(chǎn)生的條件和相位的傳播的概念; 理解波長、 波速、頻率的意義，相互關系以及各由什么因素決定; 能利用 相位的傳播的概念寫出平面簡諧彼的波函數(shù)(包括各種變換形 式)并理解波函數(shù)和波形圖的意義;理解波的疊加原理。掌握 干涉現(xiàn)象中合振動出現(xiàn)振幅極大和極小的條件; 理解駐波的概念，了解半波損失的意義。

②理解熱量的概念及功、熱和內(nèi)能的微觀意義; 理解熱力 學第一定律的意義并能利用它對理想氣體各過程進行分析和 計算; 理解熱容量概念并能利用它直接計算理想氣體各過程的 熱量傳遞; 理解循環(huán)過程概念及其圖線表示法; 理解熱循環(huán)和 致冷循環(huán)的能量轉(zhuǎn)換特征; 理解熱效率和致冷系數(shù)的意義并能 進行計算;理解熱力學第二定律的表達。

③理解電荷守恒定律和電荷的量子化; 掌握庫侖定律和電 力疊加原理; 理解電場的概念、電場強度的定義和電場疊加原 理的意義; 能用電荷元電場的疊加法計算簡單電荷體分布的電 場; 理解電通量的概念和高斯定律的意義以及它與庫侖定律的 關系; 掌握用高斯定律求解有特定對稱性的電荷分布電場的方 法， 特別是帶電的球、線、面對稱的電場; 理解電勢概念引入 的條件和它的意義， 掌握利用場強線積分和電勢疊加求已知電 荷分布的電勢的方法; 理解導體靜電平衡的條件， 掌握靜電平 衡導體上電荷分布的特點; 能夠利用導體靜電平衡的規(guī)律求解 導體存在時的電場和電荷分布的問題。

④理解電流密度概念及其與電流強度的關系;理解磁力是 運動電荷之間相互作用的表現(xiàn)。理解洛侖茲力公式的意義;能 從洛侖茲力導出電流元受磁場力的公式，并能計算簡單情況下 載流導線受磁場的作用力; 理解畢奧一薩伐爾定律，并能利用 它求簡單情況下電流的磁場分布; 理解安培環(huán)路定理的意義， 并能利用它求具有一定對稱性的電流的磁場分布。

⑤理解法拉第電磁感應定律公式的意義， 特別是公式中負號的意義;理解產(chǎn)生動生電動勢的原因， 能計算動生電動勢并 判斷它的方向。

⑥理解原子發(fā)光的特點和兩個普通光源不相干的道理; 掌 握楊氏雙縫干涉實驗的基本裝置及干涉條紋位置的計算; 理解 光程的物理意義， 掌握它的計算方法; 掌握等厚干涉實驗的基 本裝置及干涉條紋位置的計算; 理解惠更斯-菲涅耳原理中包 含的基本概念; 掌握用半波帶法分析單縫夫瑯和費衍射條紋的 產(chǎn)生及其暗紋位置的計算; 理解光柵衍射條紋的特點及產(chǎn)生的 原因， 掌握用光柵方程計算譜線位置的方法。理解用偏振片起 偏和檢偏的方法; 理解馬呂斯定律。

( 2)半導體照明概論：

①了解傳統(tǒng)光源的發(fā)光原理， 熟悉半導體照明相對傳統(tǒng)光 源的優(yōu)缺點。

②了解人眼的基本結(jié)構(gòu)及視覺實現(xiàn)原理。掌握視敏函數(shù)概 念; 輻射度量的基本參量，光度學的基本參量及二者間的轉(zhuǎn)換 關系。掌握色度學的基本概念， 三刺激值概念， 通過三刺激值 計算 1931CIE 系統(tǒng)色度圖中坐標x、y。熟悉黑體輻射概念和 光譜、色溫概念， 各種光源及太陽光光譜。理解加法混色原理， 同色異譜概念， 等差色域圖(麥克亞當橢圓) 。了解顯色指數(shù) 意義。

③理解晶體概念， 晶體與非晶體本質(zhì)的區(qū)別。理解能帶概 念(導帶、價帶、禁帶)，費米能級概念。理解本征半導體、 雜質(zhì)半導體， 直接帶隙半導體與間接帶隙半導體區(qū)別。重點掌 握 pn 結(jié)的形成， pn 結(jié)的特性。掌握 pn 結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)及多量子阱的特性。

④掌握發(fā)光二極管典型的基本結(jié)構(gòu)， 發(fā)光原理。掌握發(fā)光 二極管開啟電壓、發(fā)光波長及禁帶寬度之間的關系及轉(zhuǎn)換。掌 握內(nèi)量子效率、光引出效率、外量子效率、功率轉(zhuǎn)化效率、發(fā) 光效率概念及相互關系。理解熱阻、結(jié)溫概念; 發(fā)光強度、輻 射波長、正向偏壓、器件壽命隨結(jié)溫升高變化趨勢。半導體照 明中實現(xiàn)白光的方式。

⑤了解幾種典型半導體發(fā)光材料體系。理解外延概念， 和 常見的外延設備方法。掌握幾種常見的芯片結(jié)構(gòu)及特點， 芯片 制備工藝及相關設備。掌握封裝結(jié)構(gòu)及工藝。

三、參考書目

(1) 《普通物理學簡明教程》(上冊) (第三版) ，胡盤新， 湯 毓駿，鐘季康，高等教育出版社， 2017 年 1 月;

(2) 《普通物理學簡明教程》(下冊) (第三版) ，胡盤新， 湯 毓駿，鐘季康，高等教育出版社， 2017 年 4 月;

( 3)《半導體照明概論》， 柴廣躍等編著， 電子工業(yè)出版 社， 2016 年 5 月;

(4) 《半導體照明技術》， 方志烈， 電子工業(yè)出版社， 2009 年 5 月。

四、 考查注意事項：

請攜帶黑色水筆、無需使用計算器。